Category:Coulomb blockade

<nowiki>bloqueo de Coulomb; Blocage de Coulomb; Coulombblokkade; Кулоновская блокада; Bloqueig de Coulomb; Einzelelektronentransistor; Bloqueio de Coulomb; Кулонаўская блакада; انسداد کولمبی; 库仑阻塞; Single electron transistor; Coulombova blokada; 單電子電晶體; درج الكولوم; 单电子晶体管; Transistor elektron tunggal; Bloccaggio coulombiano; Одноелектронний транзистор; 單電子電晶體; 單電子晶體管; 库仑阻塞; クーロンブロッケード; Coulombin saarto; Coulomb blockade; kulomba blokado; 单电子晶体管; Coulomb blokajı; augment de la resistència a petits voltatges de polarització d'un dispositiu electrònic que comprèn almenys una unió túnel de baixa capacitat; povečana upornost pri majhnih prednapetostih elektronske naprave, ki vsebuje vsaj en tunelski prehod z nizko kapacitivnostjo; Verschwinden der elektrischen Leitfähigkeit sehr kleiner Objekte bei tiefen Temperaturen; aumento de la resistencia a pequeñas tensiones de polarización de un dispositivo electrónico que comprenda al menos una unión túnel de baja capacitancia; increased resistance at small bias voltages of an electronic device comprising at least one low-capacitance tunnel junction; افزایش مقاومت در ولتاژ بایاس کم در یک قطعه ی الکترونیکی شامل حداقل یک پیوند تونلی خازنی; increased resistance at small bias voltages of an electronic device comprising at least one low-capacitance tunnel junction; energiebarrière als gevolg van elektrostatische interactie; CB; 库伦阻塞; Кулоновская лестница; 庫倫阻塞; 庫侖阻力; Set; Coulomb blockade</nowiki>