File:Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg
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摘要
[编辑]描述Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg |
English: Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.
Deutsch: Vergleich eines konventionellen Gate-Schichtstapel mit Siliziumdioxid als Dielektrikum mit dem eines in High-k+Metal-Gate-Technik (vereinfachte Darstellung) hergestellten Gate-Schichtstapels. Das Schema wurde in Anlehung einer Präsentation von G. E. Moore, Intel Inc., erstellt |
日期 | (UTC) |
来源 | |
作者 |
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原始上传日志
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- File:High-k.svg licensed with Cc-by-sa-3.0-migrated-with-disclaimers, GFDL-en, GFDL-user-en-note
- 2008-01-14T18:14:30Z Stannered 401x235 (8539 Bytes) {{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Sourc
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当前 | 2010年2月20日 (六) 08:52 | ![]() | 401 × 235(7 KB) | Cepheiden(留言 | 贡献) | svg fix |
2010年2月20日 (六) 08:51 | ![]() | 401 × 235(7 KB) | Cepheiden(留言 | 贡献) | small fixes | |
2010年2月20日 (六) 08:45 | ![]() | 401 × 235(7 KB) | Cepheiden(留言 | 贡献) | {{Information |Description={{en|Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.}} {{de|Vergleich eines konventio |
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