File:Etching wet-chemical vs rie (DE).svg
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Dateiinformationen
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Bildtexte
Beschreibung[Bearbeiten]
BeschreibungEtching wet-chemical vs rie (DE).svg |
English: Comparison process between wet-chemical etching and reactive ion etching (RIE) of silicon dioxide
Deutsch: Vergleich der Siliciumdioxid-Ätzprozesse zwischen nasschemischen Ätzen und reaktiven Ionenätzen (RIE) |
Datum | (UTC) |
Quelle | Eigenes Werk |
Urheber | Cepheiden |
Andere Versionen | replication of/Kopie nach: Gary S. May, Simon M. Sze: Fundamentals of Semiconductor Fabrication. Wiley & Sons, 2003, ISBN 0471452386, S. 90 |
Lizenz[Bearbeiten]
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aktuell | 18:40, 11. Jan. 2009 | 768 × 1.024 (36 KB) | Cepheiden (Diskussion | Beiträge) | {{Information |Description={{en|1=Comparison process between wet-chemical etching and reactive ion etching (RIE) of silicon dioxide}} {{de|1=Vergleich der Siliciumdioxid-Ätzprozesse zwischen nasschemischen Ätzen und reaktiven Ionenätzen (RIE)}} |Source |
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