File:LOCOS process DE.svg

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Beschreibung

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Beschreibung
English: (originally) LOCOS process for isolating structures in semiconductor technology

1.-3. layer stack deposition (SiO2, Si3N4, photo resist) 4. opening oxidation window 5. thermal oxidation of Silicon with increasing volume

6. back etch of SiO2 and removal of nitride mask
Deutsch: (ursprünglicher) LOCOS-Prozess für die Herstellung von Isolationsstrukturen in der Halbleitertechnik

1.-3. Abscheidung des Schichtstapels (SiO2, Si3N4, Fotoresist) 4. Öffnung des Oxidationsfensters 5. Thermische Oxidation von Silicium mit Volumenzunahme

6. Rückätzen von SiO2 und Entfernung der Nitridmaske
Datum
Quelle Eigenes Werk
Urheber Cepheiden

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aktuell06:03, 22. Sep. 2024Vorschaubild der Version vom 06:03, 22. Sep. 2024768 × 600 (26 KB)Jeffrey Kim (Diskussion | Beiträge)File uploaded using svgtranslate tool (https://svgtranslate.toolforge.org/). Added translation for yue.
21:41, 1. Feb. 2009Vorschaubild der Version vom 21:41, 1. Feb. 2009768 × 600 (20 KB)Cepheiden (Diskussion | Beiträge){{Information |Description={{en|1=(originally) LOCOS process for isolating structures in semiconductor technology 1.-3. layer stack deposition (SiO2, Si3N4, photo resist) 4. opening oxidation window 5. thermal oxidation of Silicon with increasing volume

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