File:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x.png

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Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x.png （768 × 576像素，文件大小：650 KB，MIME类型：image/png）

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Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111

  • Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations.
  • Author: Twisp
  • Date: 24.08.2005
日期 2005年9月13日 (原始上传日期)
来源 No machine-readable source provided. Own work assumed (based on copyright claims).
作者 No machine-readable author provided. Twisp assumed (based on copyright claims).

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当前2005年9月13日 (二) 00:152005年9月13日 (二) 00:15版本的缩略图768 × 576（650 KB）Twisp（留言 | 贡献）* Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations. * Autho

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