File:Bv rdson.png
پروندهٔ اصلی (۱٬۵۰۰ × ۱٬۰۵۰ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۸۲ کیلوبایت، نوع MIME پرونده: image/png)
گزینهها
خلاصه
[ویرایش]Cyril BUTTAY - plotted using gnuplot, source file available by email: cyril DOT buttay AT free DOT fr
This plot represents the specific resistance of MOSFETs versus their breakdown voltage. The dots are the values estimated from the datasheets of the following manufacturers: International Rectifier, ST Microelectronics, Infineon. Only the transistors in D2PAK package have been considered, with an estimated 30 mm² die size.
The "ideal" curve is the specific resistance of a single silicon layer that can withstand the given breakdown voltage. Its equation is Rdson=5.93.10-9.Vbr2.5, and comes from B. JAYANT BALIGA, "Power semiconductor devices", PWS publishing company, 1996
)"
set xlabel "Breakdown Voltage (V)" set format y '%3.1s %c'#{/Symbol W}' set format x "%3.0s %cV" set logscale xy
- output file name
set output "bv_rdson.eps" plot [10:2000][100e-6:10] 5.93e-9*(x**2.5) ls 3 title 'Ideal MOSFET',\ 'mos_data.txt' using 1:($2*0.3) ls 2 with points title 'Commercially available MOSFETs (estimated specific resistance)' }}
Dataset
[ویرایش]gnuplot expects to find the data in a file named 'mos_data.txt'. As mentioned above, the data comes from various manufacturers, but I forgot to write down the corresponding devices reference numbers...
post processing
[ویرایش]convert -density 300 bv_rdson.eps bv_rdson.png
اجازهنامه
[ویرایش]اجازهٔ کپی، پخش و/یا تغییر این سند تحت شرایط مجوز مستندات آزاد گنو، نسخهٔ ۱٫۲ یا هر نسخهٔ بعدتری که توسط بنیاد نرمافزار آزاد منتشر شده؛ بدون بخشهای ناوردا (نامتغیر)، متون روی جلد، و متون پشت جلد، اعطا میشود. یک کپی از مجوز در بخشی تحت عنوان مجوز مستندات آزاد گنو ضمیمه شده است.http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLGNU Free Documentation Licensetruetrue |
این پرونده با اجازهنامهٔ کریتیو کامانز Attribution-Share Alike 3.0 سازگار نشده منتشر شده است. | ||
| ||
این برچسب مجوز بهعنوان بخشی از روزآمدسازی مجوز GFDL، به این پرونده افزوده شد.http://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/CC BY-SA 3.0Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0truetrue |
- شما اجازه دارید:
- برای به اشتراک گذاشتن – برای کپی، توزیع و انتقال اثر
- تلفیق کردن – برای انطباق اثر
- تحت شرایط زیر:
- انتساب – شما باید اعتبار مربوطه را به دست آورید، پیوندی به مجوز ارائه دهید و نشان دهید که آیا تغییرات ایجاد شدهاند یا خیر. شما ممکن است این کار را به هر روش منطقی انجام دهید، اما نه به هر شیوهای که پیشنهاد میکند که مجوزدهنده از شما یا استفادهتان حمایت کند.
- انتشار مشابه – اگر این اثر را تلفیق یا تبدیل میکنید، یا بر پایه آن اثری دیگر خلق میکنید، میبایست مشارکتهای خود را تحت مجوز یکسان یا مشابه با ا اصل آن توزیع کنید.
تاریخچهٔ پرونده
روی تاریخ/زمانها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.
تاریخ/زمان | بندانگشتی | ابعاد | کاربر | توضیح | |
---|---|---|---|---|---|
کنونی | ۲۵ ژانویهٔ ۲۰۱۲، ساعت ۰۸:۲۴ | ۱٬۵۰۰ در ۱٬۰۵۰ (۸۲ کیلوبایت) | CyrilB~commonswiki (بحث | مشارکتها) | The "ideal" curve on previous figures was plotted using the following equation: 1.63e-8.Vbr^2.5. However, this equation is for P-devices (see B.J.Baliga "power semiconductor devices", PWS , ISBN 0-534-94098-6, 1995 p 373). For N devices, the constant is 5 | |
۳ مارس ۲۰۱۱، ساعت ۲۰:۴۷ | ۱٬۵۰۰ در ۱٬۰۵۰ (۸۸ کیلوبایت) | CyrilB~commonswiki (بحث | مشارکتها) | Correction of the y-axis label from ohm.cm-2 to ohm.cm2 | ||
۱۱ فوریهٔ ۲۰۰۶، ساعت ۱۸:۱۳ | ۱٬۵۰۰ در ۱٬۰۵۰ (۳۷ کیلوبایت) | CyrilB~commonswiki (بحث | مشارکتها) | Cyril BUTTAY - plotted using gnuplot, source file available by email: cyril DOT buttay AT free DOT fr This plot represents the specific resistance of MOSFETs versus their breakdown voltage. The dots are the values estimated from the datasheets of the fol |
شما نمیتوانید این پرونده را رونویسی کنید.
کاربرد پرونده
صفحههای زیر از این تصویر استفاده میکنند:
کاربرد سراسری پرونده
ویکیهای دیگر زیر از این پرونده استفاده میکنند:
- کاربرد در da.wikipedia.org
- کاربرد در en.wikipedia.org
- کاربرد در es.wikipedia.org
- کاربرد در fa.wikipedia.org
- کاربرد در it.wikipedia.org
- کاربرد در ko.wikipedia.org
- کاربرد در zh.wikipedia.org