File:Comparison between field-effect transistors.svg
De Wikimedia Commons, el repositorio multimedia libre
Ir a la navegación
Ir a la búsqueda
Tamaño de esta previsualización PNG del archivo SVG: 600 × 600 píxeles. Otras resoluciones: 240 × 240 píxeles | 480 × 480 píxeles | 768 × 768 píxeles | 1024 × 1024 píxeles | 2048 × 2048 píxeles | 1000 × 1000 píxeles.
Archivo original (archivo SVG, nominalmente 1000 × 1000 píxeles, tamaño de archivo: 102 kB)
Información del archivo
Datos estructurados
Leyendas
Este archivo SVG contiene texto incrustado que puede traducirse a su lengua, mediante un editor que admita SVG (como XML o texto). Para más información, véase: Sobre la traducción de archivos SVG. |
Resumen[editar]
DescripciónComparison between field-effect transistors.svg |
Español: Comparativa entre las curvas características y de salida de distintos transistores de efecto de campo
English: Comparision of I–V characteristics and output plots of Field-effect transistors. |
Fecha | |
Fuente | Dispositivos Electrónicos II - Transistores unipolares ISBN848138630-8. |
Autor | Phirosiberia |
Otras versiones | English version |
Licencia[editar]
Yo, titular de los derechos de autor de esta obra, la publico en los términos de las siguientes licencias:
Se autoriza la copia, distribución y modificación de este documento bajo los términos de la licencia de documentación libre GNU, versión 1.2 o cualquier otra que posteriormente publique la Fundación para el Software Libre; sin secciones invariables, textos de portada, ni textos de contraportada. Se incluye una copia de la dicha licencia en la sección titulada Licencia de Documentación Libre GNU.http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLGNU Free Documentation Licensetruetrue |
Este archivo se encuentra bajo la licencia Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unported, 2.5 Generic, 2.0 Generic y 1.0 Generic
- Eres libre:
- de compartir – de copiar, distribuir y transmitir el trabajo
- de remezclar – de adaptar el trabajo
- Bajo las siguientes condiciones:
- atribución – Debes otorgar el crédito correspondiente, proporcionar un enlace a la licencia e indicar si realizaste algún cambio. Puedes hacerlo de cualquier manera razonable pero no de manera que sugiera que el licenciante te respalda a ti o al uso que hagas del trabajo.
- compartir igual – En caso de mezclar, transformar o modificar este trabajo, deberás distribuir el trabajo resultante bajo la misma licencia o una compatible como el original.
Puedes usar la licencia que prefieras.
Historial del archivo
Haz clic sobre una fecha y hora para ver el archivo tal como apareció en ese momento.
Fecha y hora | Miniatura | Dimensiones | Usuario | Comentario | |
---|---|---|---|---|---|
actual | 15:37 17 jun 2009 | 1000 × 1000 (102 kB) | Phirosiberia (discusión | contribs.) | upload error | |
15:36 17 jun 2009 | 800 × 350 (32 kB) | Phirosiberia (discusión | contribs.) | correction | ||
15:32 17 jun 2009 | 1000 × 1000 (103 kB) | Phirosiberia (discusión | contribs.) | labels | ||
15:27 17 jun 2009 | 1000 × 1000 (100 kB) | Phirosiberia (discusión | contribs.) | {{Information |Description={{en|1=Comparativa entre las curcas características y de salida de distintos transistores de efecto de campo}} {{es|1=Comparision of I–V characteristics and output plots of Field-effect transistors.}} |Source=Dispositivos Ele |
No puedes sobrescribir este archivo.
Usos del archivo
No hay páginas que enlacen a este archivo.
Uso global del archivo
Las wikis siguientes utilizan este archivo:
- Uso en es.wikipedia.org