File:High-k.svg
Материал из Викисклада, хранилища свободных медиафайлов
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Размер этого PNG-превью для исходного SVG-файла: 401 × 235 пкс. Другие разрешения: 320 × 188 пкс | 640 × 375 пкс | 1024 × 600 пкс | 1280 × 750 пкс | 2560 × 1500 пкс.
Исходный файл (SVG-файл, номинально 401 × 235 пкс, размер файла: 8 КБ)
Сведения о файле
Структурированные данные
Краткие подписи
ОписаниеHigh-k.svg | Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. | ||||||||
Дата | 2006-01-05, 2008-01-14 | ||||||||
Источник | File:High-k.png | ||||||||
Автор | en:User:Anoopm, traced by User:Stannered | ||||||||
Права (Повторное использование этого файла) |
Anoopm из английской Википедии, владелец авторских прав на это произведение, добровольно публикует его на условиях следующей лицензии:
|
||||||||
Другие версии |
Производные работы от этого файла: Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg File:High-k.png |
История файла
Нажмите на дату/время, чтобы увидеть версию файла от того времени.
Дата/время | Миниатюра | Размеры | Участник | Примечание | |
---|---|---|---|---|---|
текущий | 18:14, 14 января 2008 | 401 × 235 (8 КБ) | Stannered (обсуждение | вклад) | {{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Source=en:Image:High-k.png |Da |
Вы не можете перезаписать этот файл.
Использование файла
Следующие 2 страницы используют этот файл:
Глобальное использование файла
Данный файл используется в следующих вики:
- Использование в en.wikipedia.org
- Использование в en.wikiversity.org
- Использование в fa.wikipedia.org
- Использование в ja.wikipedia.org
- Использование в ru.wikipedia.org
- Использование в uk.wikipedia.org