File:Illustration of C-V measurement.gif
Illustration_of_C-V_measurement.gif (۳۲۲ × ۳۰۸ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۹۳ کیلوبایت، نوع MIME پرونده: image/gif، چرخشدار، ۱۸ قاب، ۵٫۴ ثانیه)
گزینهها
خلاصه[ویرایش]
توضیحIllustration of C-V measurement.gif |
English: C-V measurements can reveal oxide thickness, oxide charges, contamination from mobile ions, and interface trap density in wafer processes. In this image the C-V profile for a bulk p-type substrate MOSCAP with different oxide thickness is shown. The blue curve shown refers to a high frequency C-V profile while the red curve refers to low frequency C-V profile. MOS capacitance is independent of all the frequencies in the accumulation and depletion region. This is because it is here that the total charge is governed by majority carriers. In the inversion region the charge is governed by minority carriers, which forms the inversion layer. Due to finite minority carrier generation time, total charge is not able to follow the gate bias at higher frequencies, which can lead to differences in C-V profiles. Also worth noting here is the shift in threshold voltage with different oxide thickness. |
||
تاریخ | |||
منبع | Image:https://nanohub.org/resources/8818 ; Tool link: http://nanohub.org/resources/451 | ||
پدیدآور | Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck | ||
اجازهنامه (استفادهٔ مجدد از این پرونده) |
|
اجازهنامه[ویرایش]
- شما اجازه دارید:
- برای به اشتراک گذاشتن – برای کپی، توزیع و انتقال اثر
- تلفیق کردن – برای انطباق اثر
- تحت شرایط زیر:
- انتساب – شما باید اعتبار مربوطه را به دست آورید، پیوندی به مجوز ارائه دهید و نشان دهید که آیا تغییرات ایجاد شدهاند یا خیر. شما ممکن است این کار را به هر روش منطقی انجام دهید، اما نه به هر شیوهای که پیشنهاد میکند که مجوزدهنده از شما یا استفادهتان حمایت کند.
تاریخچهٔ پرونده
روی تاریخ/زمانها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.
تاریخ/زمان | بندانگشتی | ابعاد | کاربر | توضیح | |
---|---|---|---|---|---|
کنونی | ۱۷ مهٔ ۲۰۱۰، ساعت ۱۹:۲۶ | ۳۲۲ در ۳۰۸ (۹۳ کیلوبایت) | Beatnik8983 (بحث | مشارکتها) | {{Information |Description={{en|1=C-V measurements can reveal oxide thickness, oxide charges, contamination from mobile ions, and interface trap density in wafer processes. In this image the C-V profile for a bulk p-type substrate MOSCAP with different ox |
شما نمیتوانید این پرونده را رونویسی کنید.
کاربرد پرونده
صفحهٔ زیر از این تصویر استفاده میکند:
- File:CV.gif (تغییرمسیر پرونده)
کاربرد سراسری پرونده
ویکیهای دیگر زیر از این پرونده استفاده میکنند:
- کاربرد در en.wikipedia.org
- کاربرد در fa.wikipedia.org
- کاربرد در hu.wikipedia.org
- کاربرد در ja.wikipedia.org
- کاربرد در ru.wikipedia.org
- کاربرد در zh.wikipedia.org