File:Molecular beam epitaxy system.jpg
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說明
摘要
[編輯]描述Molecular beam epitaxy system.jpg |
SANDIA RESEARCHER STANDS NEXT TO MOLECULAR BEAM EPITAXY SYSTEM. WORKING THROUGH A COOPERATIVE RESEARCH AND DEVELOPMENT AGREEMENT (CRADA) WITH CIELO COMMUNICATIONS INC., SANDIA DEVELOPED THE GALLIUM ARSENIDE-BASED VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL). IT WILL BE CHEAPER AND EASIER TO BUILD THAN STANDARD EDGE EMITTING LASERS USED IN CURRENT HIGH-SPEED FIBER OPTICS COMMUNICATIONS. THE MOLECULAR BEAM EPITAXY SYSTEM SEEN IN THE IMAGE IS USED TO GROW THE CRYSTAL STRUCTURE OF THE VCSEL. For more information or additional images, please contact 202-586-5251. |
日期 | |
來源 | 396 073 001 |
作者 | ENERGY.GOV |
授權條款
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2014年10月12日
檔案歷史
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日期/時間 | 縮圖 | 尺寸 | 使用者 | 備註 | |
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目前 | 2014年10月12日 (日) 11:44 | 3,200 × 2,427(1.18 MB) | Bomazi(留言 | 貢獻) | Transferred from Flickr via Flickr2commons |
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