File:IvsV IGBT.png
Tập tin gốc (1.500×1.050 điểm ảnh, kích thước tập tin: 30 kB, kiểu MIME: image/png)
Chú thích
Miêu tả[sửa]
Miêu tảIvsV IGBT.png | Static characteristic of a imaginary Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
Ngày | |
Nguồn gốc | own work, loosely based on model in "Power semiconductor devices" by B. J. Baliga, ISBN 0-534-94098-6 |
Tác giả | Cyril BUTTAY |
Giấy phép (Dùng lại tập tin) |
as licensed |
Giấy phép[sửa]
Bạn có quyền sao chép, phân phối và/hoặc sửa đổi tài liệu này theo những điều khoản được quy định trong Giấy phép Tài liệu Tự do GNU, phiên bản 1.2 hoặc các phiên bản mới hơn được Quỹ Phần mềm Tự do; quy định; ngoại trừ những phần không được sửa đổi, bìa trước và bìa sau. Bạn có thể xem giấy phép nói trên ở phần Giấy phép Tài liệu Tự do GNU.http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLGNU Free Documentation Licensetruetrue |
Tập tin này được phát hành theo Giấy phép Creative Commons Ghi công - Chia sẻ tương tự 3.0 Unported | ||
| ||
Thẻ quyền này được thêm vào tập tin trong khi cập nhật giấy phép GFDL.http://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/CC BY-SA 3.0Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0truetrue |
- Bạn được phép:
- chia sẻ – sao chép, phân phối và chuyển giao tác phẩm
- pha trộn – để chuyển thể tác phẩm
- Theo các điều kiện sau:
- ghi công – Bạn phải ghi lại tác giả và nguồn, liên kết đến giấy phép, và các thay đổi đã được thực hiện, nếu có. Bạn có thể làm các điều trên bằng bất kỳ cách hợp lý nào, miễn sao không ám chỉ rằng người cho giấy phép ủng hộ bạn hay việc sử dụng của bạn.
- chia sẻ tương tự – Nếu bạn biến tấu, biến đổi, hoặc làm tác phẩm khác dựa trên tác phẩm này, bạn chỉ được phép phân phối tác phẩm mới theo giấy phép y hệt hoặc tương thích với tác phẩm gốc.
-V{_{th}}=7 V' at 9.8,47 right
set label 4 '6 V' at 9.8,37.5 right set label 5 '5 V' at 9.8,26.5 right set label 6 '4 V' at 9.8,17.4 right set label 7 '3 V' at 9.8,10.5 right set label 8 '2 V' at 9.8,5.5 right set label 9 '1 V' at 9.8,2.5 right
- The model is basically that of a mosfet, with a diode in series
- Drain current in linear region
linear(vds,vgsvth)=2*vgsvth*vds-vds**2
- Drain current in saturation region
saturation(vds,vgsvth)=vgsvth**2
- Drain current
draincurrent(vds,vgsvth)=(vds>vgsvth?saturation(vds,vgsvth):linear(vds,vgsvth))
- limit between saturation and linear regions
limit(vds)=vds**2
- diode forward voltage:
Vf(t,vgsvth)=2*0.026*log(draincurrent(t,vgsvth)/10e-8)
set output "IvsV_IGBT.eps" set parametric set sample 2000
- this is totally non physical: we calculate the current in the drain of the mosfet,
- then use this value to calculate the voltage drop in the diode, and then plot Vf+voltage
- on the x-axis, and the current on the y-axis. Then, I divide the voltage across the MOSFET
- by an arbitrary factor (4) to get a steeper curve.
plot [0:40 ][0:10][0:50] Vf(t,1)+t/4,draincurrent(t,1) ls 1 title ,\
Vf(t,2)+t/4,draincurrent(t,2) ls 1 title ,\ Vf(t,3)+t/4,draincurrent(t,3) ls 1 title ,\
Vf(t,4)+t/4,draincurrent(t,4) ls 1 title ,\
Vf(t,5)+t/4,draincurrent(t,5) ls 1 title ,\ Vf(t,6)+t/4,draincurrent(t,6) ls 1 title ,\ Vf(t,7)+t/4,draincurrent(t,7) ls 1 title
}}
Lịch sử tập tin
Nhấn vào ngày/giờ để xem nội dung tập tin tại thời điểm đó.
Ngày/Giờ | Hình xem trước | Kích cỡ | Thành viên | Miêu tả | |
---|---|---|---|---|---|
hiện tại | 22:13, ngày 28 tháng 6 năm 2006 | 1.500×1.050 (30 kB) | CyrilB~commonswiki (thảo luận | đóng góp) | {{Information |Description=Static characteristic of a imaginary Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |Source=own work, loosely based on model in "Power semiconductor devices" by B. J. Baliga, ISBN 0-534-94098-6 |Date=28/06/2006 |Author=Cyril BUTTAY |P |
Bạn không được phép ghi đè tập tin này.
Trang sử dụng tập tin
Không có trang nào sử dụng tập tin này.
Sử dụng tập tin toàn cục
Những wiki sau đang sử dụng tập tin này:
- Trang sử dụng tại bn.wikipedia.org
- Trang sử dụng tại da.wikipedia.org
- Trang sử dụng tại en.wikipedia.org
- Trang sử dụng tại pt.wikipedia.org
- Trang sử dụng tại ur.wikipedia.org
- Trang sử dụng tại vi.wikipedia.org